Q173CPUN-T原理及应用三菱Q173CPUN-TEMC

输入输出点数：4096点。
输入输出数据设备点数：8192点。
程序容量：124k。
基本命令处理速度(LD命令)：0.075μS。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系，
一般来说，一个扫描的过程中，故障诊断时间，
通信时间，输入采样和输出刷新所占的时间较少，
执行的时间是占了大部分Q173CPUN-T
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成Q173CPUN-T原理及应用。
发光二级管：在光电耦合器的输入端加上变化的电信号，
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号Q173CPUN-T原理及应用。
输入接口电路工作过程：当开关合上，二极管发光，
然后三极管在光的照射下导通，向内部电路输入信号。
当开关断开，二极管不发光，三极管不导通。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管：在光信号的照射下导通，导通程度与光信号的强弱有关。
在光电耦合器的线性工作区内，输出信号与输入信号有线性关系。
用户程序存储容量：是衡量可存储用户应用程序多少的指标。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字，
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字。定时/计数，
移位指程序容量：30K步Q173CPUN-T原理及应用。
基本运处理速度（LD指令）：1.9ns。
程序内存容量：120KB。
外围设备连接端口：USB、以太网（通信协义支持功能）。
存储卡I/F：SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的更加化作出贡献。
通过过多CPU进行高速、机器控制Q173CPUN-TEMC。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制Q173CPUN-TEMC。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率大化。
此外，新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、的机器控制。