Q170MSCPU基础知识三菱Q170MSCPU编程手册(公共指令篇)

输入电压范围：AC100-240V。
输出电压：DC5V。
输出电源：8.5A。
简化程序调试
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户值Q170MSCPU基础知识。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作Q170MSCPU
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失Q170MSCPU基础知识。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。
通过软元件扩展，更方便创建程序Q170MSCPU基础知识。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点，使程序更容易理解。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：28 k步。
处理速度：34ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡Q170MSCPU(公共指令篇)。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程Q170MSCPU(公共指令篇)。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域Q170MSCPU(公共指令篇)。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。1轴，开路集电极输出型。
控制单位：mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数：600个数据/轴。
大脉冲输出：200Kpps。
40针连接器。
定位模块。
开路集电极输出型。
差分驱动器输出型。
根据用途分为开路集电极输出型和差分驱动器输出型 2 种类型。
差分驱动器输出型定位模块可将高速指令脉冲 ( 高 4Mpps) 可靠地传输至伺服放大器，
传输距离可达 10 米，实现高速的控制。
（开路集电极型定位模块的指令脉冲高为200kpps。）
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制。
以智能功能能拓展控制的可能性Q170MSCPU编程手册。
提供各种模拟量模块，是应用于过程控制应用的理想选择。Q170MSCPU基础知识。
也可满足高速、控制需求。
适合用于要求高速转换控制领域的模拟量模块。
可提供多种模数和数模转换模块产品。
这些模块功能多样，在连接设备时，实现了大的灵活性。
可满足变频器控制等高速转换需求。