QE83WH4W测量电路数：1个电路 三菱QE83WH4W

输入点数：32点。
输入电压及电流：DC24V 4mA。
应答时间：1/5/10/20/70ms。
共阳极。
输出点数：32点。
输出电压及电流：DC12~24V 0.1A/点；2A/公共端三菱QE83WH4W。
OFF时漏电流：0.1mA；应答时间：1ms。
漏型。
40针连接器。
带热防护。
带短路保护QE83WH4W
带浪涌吸收器。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间三菱QE83WH4W。
可用编程工具对收集的数据进行分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的三菱QE83WH4W。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界三菱电能测量模块（多电路、三相4线式）。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域三菱电能测量模块（多电路、三相4线式）。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间三菱电能测量模块（多电路、三相4线式）。8槽。
扩展基板。
双电源模的电源冗余系统。
用于安装Q系列模块。
缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份，可始终将新的参数、程序等保存到存储卡。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。
应用范围更广，更先进。
于时代的Q系列CPU产品。QE83WH4W。
Q系列CPU产品应用范围广泛，
提供可编程控制器、过程、冗余、C语言、运动、、机械手、CNC的各种CPU，
以满足各种控制需求三菱QE83WH4W。
通过多CPU配置，可根据使用规模、目的，
构建符合各种控制要求的佳系统。
此外，通过冗余系统，可构建高可靠性系统，
即使发生故障，系统也能继续运行。