Q173DCPU-S1使用方法三菱Q173DCPU-S1编程手册(SFC)

紧凑型闪存卡。
容量:512M字节。串行ABS同步编码器输入可使用台数：2台/个模块。
位置检测方式：编对值（ABS）方式。
传输方式：串行通信。
允许跟踪目标输入点数：2点Q173DCPU-S1使用方法。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程Q173DCPU-S1
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域Q173DCPU-S1使用方法。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高Q173DCPU-S1使用方法。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。手动肪冲发生器/INC同步编码器输入：
可使用台数：3台/1个模块。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序Q173DCPU-S1(SFC)。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据，
毫无遗漏地记录的控制数据的变动Q173DCPU-S1(SFC)。
因此，在发生故障时，可快速确定原因，进行的动作分析。输入点数：32点。
输入电压及电流：DC24V 4mA。
应答时间：1/5/10/20/70msQ173DCPU-S1(SFC)。
共阳极。
输出点数：32点。
输出电压及电流：DC12~24V 0.1A/点；2A/公共端。
OFF时漏电流：0.1mA；应答时间：1ms。
漏型。
40针连接器。
带热防护。
带短路保护。
带浪涌吸收器。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间。
可用编程工具对收集的数据进行分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩扩展到文件寄存器的所有区域Q173DCPU-S1使用方法Q173DCPU-S1编程手册。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。