Q35DB使用方法三菱Q35DBEMC

输入输出点数：4096点。
输入输出软元件点数：8192点。
程序容量：260K步。
基本运处理速度（LD指令）：1.9ns。
程序内存容量：1040KB。
外围设备连接端口：USB、以太网（通信协义支持功能）Q35DB使用方法。
存储卡I/F：SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界Q35DB
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程Q35DB使用方法。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制Q35DB使用方法。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率大化。
此外，新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、的机器控制。输入输出点数：4096点。
输入输出数据设备点数：8192点。
程序容量：124k。
基本命令处理速度(LD命令)：0.075μS。
多重化用CPU(协同处理器装载)。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系，
一般来说，一个扫描的过程中，故障诊断时间，
通信时间，输入采样和输出刷新所占的时间较少，
执行的时间是占了大部分。
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成。
发光二级管：在光电耦合器的输入端加上变化的电信号，
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号。
输入接口电路工作过程：当开关合上，二极管发光，
然后三极管在光的照射下导通，向内部电路输入信号。
当开关断开，二极管不发光，三极管不导通。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管：在光信号的照射下导通，导通程度与光信号的强弱有关。
在光电耦合器的线性工作区内，输输出信号与输入信号有线性关系Q35DBEMC。
用户程序存储容量：是衡量可存储用户应用程序多少的指标标Q35DBEMC。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字，
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字。定时/计数，
移位指令占2个字。数据操作指令占2~4个字。