QA1S51B基础知识三菱QA1S51B选型手册(选型资料)

输入：2通道。
500/200/100/10kpps。
计数器输入信号：DC5/12/24V。
外部输入：DC5/12/24V。
统一输出：晶体管(漏型)。
DC12/24VQA1S51B基础知识。
0.5A/点。
2A公共端。
40针连接器。输入点数：32点。
输入电压及电流：DC24V 4mA。
应答时间：1/5/10/20/70msQA1S51B
32点1个公共端。
共阳极。
输出点数：32点。
输出电压及电流：DC12-24V；0.1A/点；2A/公共端QA1S51B基础知识。
应答时间：1ms。
32点1个公共端、漏型；40针连接器。
带热保护。
带短路保护。
带浪涌吸收器。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间QA1S51B基础知识。
可用编程工具对收集的数据进行分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示QA1S51B(选型资料)。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据QA1S51B(选型资料)。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程QA1S51B(选型资料)。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。4轴，开路集电极输出型。
控制单位：脉冲。
定位数据数：10个数据/轴。
大脉冲输出：200Kpps。
40针连接器。
简单多轴定位的理想解决方案。
与步进电机控制匹配。
加减速平滑，速度变化细微。
加快了定位控制启动处理的速度。
定位模块。
开路集电极输出型。
差分驱动器输出型。
根据用途分为开路集电极输出型和差分驱动器输出型 2 种类型。
差分驱动器输出型定位模块可将高速指令脉冲 ( 高 4Mpps) 可靠地传输至伺服放大器，
传输距离可达 10 米，实现高速的控制。
（开路集电极型定位模块的指令脉冲高为200kpps。）
缩短系统停机复原时间。

只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中QA1S51B选型手册。
通过定期备份，可始始终将新的参数、程序等保存到存储卡QA1S51B基础知识。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。