Q2MEM-2MBS使用方法三菱Q2MEM-2MBS使用说明书

输入点数：伺服外部信号32点，8轴。
输入方式：源型/漏型。
输入输出占用点数：32点。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界Q2MEM-2MBS使用方法。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程Q2MEM-2MBS
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域Q2MEM-2MBS使用方法。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。三相4线式。
测量电路数：1个电路。
测量项目：耗电量（消耗、再生）、电流、电压、功率、功率因素等。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群。
仅用一个模块，即可测量与电量（消耗及再生）、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息。
无需梯形图程序即可持续监视小值和大值，亦可执行2种类型的上限/下限报警。量Q2MEM-2MBS使用方法。
在一个插槽中使用3相3线式产品多可测量4个电路，
使用3相4线式产品多可测量3个电路，
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量。
例如，可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），轻松地设置参数。通用型Q系列CPU用存储卡保护置。
Q3MEM-4MBS-SET/Q3MEM-8MBS-SET捆绑产品。三相4线式。
测量电路数：3个电路。
测量项目：耗电量（消耗、再生）、电流、电压、功率、功率因素等。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群。
仅用一个模块，即可测量与电量（消耗及再生）、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息。
无需梯形图程序即可持续监视小值和大值，亦可执行2种类型的上限/下限报警。
只有在ON状态期间，才可测量输出设备所使用的电量。
因此可获得设备运行期间的电量以及节拍单位内的电量。
在一一个插槽中使用3相3线式产品多可测量4个电路，
使用3相4线式产品多可测量3个电路，
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量Q2MEM-2MBS使用说明书Q2MEM-2MBS使用说明书。
例如，可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），轻松地设置参数。